功耗降三成 三星将量产60nm 2Gb DDR2

据悉，三星电子（Samsung Electronics）将首先在2Gb DDR2内存制造中引入60纳米生产工艺，这种内存有望在今年年底投入量产。

与80纳米2Gb DDR2内存相比，800MHz的60纳米内存的DRAM性能提高了20%，同时60纳米2Gb DDR2内存的生产效率也有望提高40%。这种高性能、高容量内存将可用于服务器、工作站、笔记本电脑。2Gb DDR2内存的功耗大约可以降低30%，热量也会随之减少，从而降低对散热器的要求，稳定性也会提高。

三星计划推出四种类型的2Gb DDR2内存：8GB FB-DIMM；8GB RDIMM；4GB UDIMM；4GB SODIMM。今年年底三星就将开始大规模量产，产品线包括60纳米工艺的512Mb-2Gb内存系列。